• 本书信息
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  • 前言
• 1. CMOS工艺中的器件
  • 1.1 MOS 器件的 I-V 特性
  • 1.2 MOS 管跨导
  • 1.3 MOS 管的衬底偏置效应
  • 1.4 沟长调制效应与小信号输出电阻
  • 1.5 三极管区 MOS 管的电阻
  • 1.6 沟长与沟长调制效应
  • 1.7 MOS 器件电容
  • 1.8 MOS 管的特征频率fT
  • 1.9 跨导效率 gm/ID
  • 1.10 MOS 管的本征增益
  • 1.11 MOS 管内阻和传输门
  • 1.12 MOS 管的并联与串联
  • 1.13 工艺角模型
  • 1.14 MOS 工艺下的晶体管
  • 1.15 无源电阻
  • 1.16 无源电容
• 2. 单管放大器
  • 2.1 电阻负载共源极放大器
  • 2.2 电流源负载共源极放大器
  • 2.3 二极管连接 MOS 管负载的共源极放大器
  • 2.4 共源极放大器的线性度
  • 2.5 带源极负反馈的共源极放大器
  • 2.6 源极负反馈共源极放大器的跨导
  • 2.7 电阻负载共源极放大器的 PSRR
  • 2.8 电流源负载共源极放大器的 PSRR
  • 2.9 源极跟随器输入输出特性
  • 2.10 源极跟随器的增益
  • 2.11 源极跟随器的电平转移功能
  • 2.12 用作缓冲器的源极跟随器
  • 2.13 共栅极放大器
  • 2.14 电阻负载共源共栅放大器的大信号特性
  • 2.15 共源共栅级的小信号输出电阻
  • 2.16 共源共栅放大器的增益和摆幅
  • 2.17 折叠式共源共栅放大器
  • 2.18 共源共栅放大器的 PSRR
  • 2.19 基于 gm/ID 的放大器设计方法
  • 2.20 反相器作为放大器
  • 2.21 理想电流源负载的源级负反馈放大器
  • 2.22 二极管和电流源并联的共源极放大器
• 3. 差分放大器
  • 3.1 差分放大器的基本概念
  • 3.2 全差分放大器的共模输入范围
  • 3.3 全差分放大器的差模增益
  • 3.4 全差分放大器的共模响应
  • 3.5 差分放大器失配时的共模响应
  • 3.6 差分放大器的 CMRR
  • 3.7 全差分放大器的 PSRR
  • 3.8 全差分放大器的输出共模电平
  • 3.9 交叉互连负载的差分放大器
  • 3.10 吉尔伯特单元
  • 3.11 差分放大器的优势
• 4. 电流源和电流镜
  • 4.1 基本电流镜
  • 4.2 共源共栅电流源
  • 4.3 共源共栅电流源的输出电压余度
  • 4.4 低压共源共栅电流镜
  • 4.5 一种简易低压共源共栅电流源
  • 4.6 一种改进的低压共源共栅电流源
  • 4.7 有源电流镜负载差分放大器差动特性
  • 4.8 有源电流镜负载差分放大器的大信号特性
  • 4.9有源电流镜负载差分放大器的 CMRR
  • 4.10 有源电流镜负载差分放大器的 PSRR
  • 4.11 差分放大器的压摆率
  • 4.12 电流放大器
  • 4.13 差分输入电流放大器
  • 4.14 Wilson 电流镜
• 5. 放大器的频率特性
  • 5.1 电路的频率响应
  • 5.2 共源极放大器的频率响应
  • 5.3 源极跟随器的频率响应
  • 5.4 共栅级放大器的频率效应
  • 5.5 共源共栅级放大器的密勒效应
  • 5.6 共源共栅放大器的频率响应
  • 5.7 全差分放大器的频率特性
  • 5.8 采用电容中和技术消除密勒效应
  • 5.9 有源电流镜负载差分放大器的频率特性
  • 5.10 放大器的增益带宽积
  • 5.11 考虑频率特性的放大器宏模型
  • 5.12 不同平面的零点
• 6. 反馈
  • 6.1 反馈电路
  • 6.2 反馈带来频率特性的变化
  • 6.3 反馈导致闭环阻抗变化
  • 6.4 反馈系统的反馈电路实现
  • 6.5 反馈的四种结构
  • 6.6 电压电压负反馈
  • 6.7 电流电压负反馈
  • 6.8 电流电流负反馈
  • 6.9 电压电流负反馈
  • 6.10 反馈系统中的负载效应
  • 6.11 反馈系统的开环、闭环和环路增益
• 7. 运算放大器
  • 7.1 理想的运算放大器
  • 7.2 实际的运算放大器
  • 7.3 单级运放
  • 7.4 折叠式共源共栅极运放
  • 7.5 二级放大器
  • 7.6 经典二级放大器设计
  • 7.7 经典二级放大器仿真
  • 7.8 增益提高技术
  • 7.9 共模负反馈技术
• 8. 稳定性和频率补偿
  • 8.1 闭环电路的稳定性问题
  • 8.2 频率补偿方法概述
  • 8.3 降低主极点频率的频率补偿方法
  • 8.4 极点分裂法
  • 8.5 串联电阻的零点消除法
  • 8.6 隔断前馈通道的零点消除法
• 9. 基准电压源和电流源
  • 9.1 基于阈值电压的电流源
  • 9.2 基于阈值电压的自偏置电流源
  • 9.3 Widlar 自偏置电流源
  • 9.4 自偏置电流源的启动问题
  • 9.5 基于 VBE 的自偏置电流源
  • 9.6 ΔVBE 的正温度特性
  • 9.7 带隙基准源
  • 9.8 蔡湧达电压源
  • 9.9 另外一种带启动电路的自偏置电流源
• 10. 带隙基准源设计实例
  • 10.1 带隙基准源主体电路
  • 10.2 带隙基准源的软启动电路
  • 10.3 带隙基准源的精度
  • 10.4 带隙基准源的静态电流
  • 10.5 PTAT 电流的温度特性
  • 10.6 带隙基准源的环路稳定性
  • 10.7 带隙基准源的电源抑制比
  • 10.8 带隙基准源的启动时间
  • 10.9 带隙基准源的快速启动电路
• 参考文献
  • 参考文献

本书从CMOS集成电路设计的基本理论中精炼出119个知识点，结合微课和案例仿真的多种形式，深入浅出地讲解了CMOS模拟集成电路的基本原理、分析和设计方法。采用湖北九同方微电子有限公司提供的云平台EDA软件完成了所有电路的仿真。

全书分为十章，基本涵盖了国内普通高校讲授模拟集成电路的课程大纲。内容包括：MOS器件物理、单管放大器、差分放大器、电流源和电流镜、放大器的频率特性、反馈结构、讲述运算放大器、频率稳定性和频率补偿、基准电压源和电流源；第十章讲述了一个实际带隙基准源电路的设计流程和仿真方法。为了方便读者学习，本书除了原理讲述之外，还提供了大量的微课视频，读者登录九同方EDA云平台，还可以轻松再现书中所有电路仿真案例。同时，还提供了包含所有章节的微课课件，便于高校老师授课或者学生自学。

本电子书可以作为高等院校电子信息类本科生的教材，也可以作为国外经典教材的补充阅读材料和参考书。

主编

李江敏

策划编辑

李　欢

责任编辑

洪美员

封面设计

廖亚萍

责任校对

王亚钦

责任监印

周治超

出版单位

华中科技大学出版社

出版发行

华中科技大学出版社（中国武汉 电话：027-81321913）

武汉市东湖新技术开发区华工科技园（邮编：430223）

录排

华中科技大学惠友文印中心

字数：505千字

ISBN

978-7-5680-8720-9

版次

2023 年 09 月 第 1 版

定价

69.80 元